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集積回路の部品

中国 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 認証
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集積回路の部品

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中国 AD9747BCPZ 14ビット 2.5 GSPS 高速 DAC、低電力 LVDS 入力、優れた SFDR、柔軟なクロッキング、広帯域幅、および工業用温度範囲 工場

AD9747BCPZ 14ビット 2.5 GSPS 高速 DAC、低電力 LVDS 入力、優れた SFDR、柔軟なクロッキング、広帯域幅、および工業用温度範囲

AD9747BCPZ 14-Bit 2.5 GSPS 高速DAC 低電源LVDS入力 優れたSFDR 柔軟なクロッキング 幅広く帯域と産業温度範囲 特徴 高ダイナミックレンジ,ダブルDAC 低騒音とインターモジュレーション歪み 単機 WCDMA ACLR = 61,44 MHz IF で 80 ... 続きを読む
2025-08-08 11:30:46
中国 TPS3808G33DBVR 3.3V 電圧監視 IC 1.6V スレッショルド 200ms 遅延 SOT-23-5 1.1-6.5V 入力 -40°C~+125°C 工場

TPS3808G33DBVR 3.3V 電圧監視 IC 1.6V スレッショルド 200ms 遅延 SOT-23-5 1.1-6.5V 入力 -40°C~+125°C

TPS3808G33DBVR 3.3V電圧スーパーバイザ 1.6Vスレッショルド 200ms遅延 SOT-23-5 1.1-6.5V入力 -40℃~+125℃ andnbsp; 特徴 andbull; 可変遅延時間付きパワーオンリセットジェネレータ:1.25 ms~10 s andbull; 非常に... 続きを読む
2025-08-08 11:30:45
中国 TPS2001CDGKR 1.5A 電流制限電源スイッチ 2.7-5.5V 入力 80mΩ RON VSSOP-8 -40°Cから+85°C 工場

TPS2001CDGKR 1.5A 電流制限電源スイッチ 2.7-5.5V 入力 80mΩ RON VSSOP-8 -40°Cから+85°C

TPS2001CDGKR 1.5A 電流制限型パワースイッチ 2.7-5.5V 入力 80mandOmega; RON VSSOP-8 -40anddeg;C~+85anddeg;C andnbsp; 特徴 andnbsp; andbull; シングルパワースイッチファミリ andbull; 既存の ... 続きを読む
2025-08-08 11:30:45
中国 SN74LVC1G08DBVR シングル2インプットANDゲート 1.65-5.5V 供給 10ns 拡散遅延 SOT-23-5 -40°C から +125°C 工場

SN74LVC1G08DBVR シングル2インプットANDゲート 1.65-5.5V 供給 10ns 拡散遅延 SOT-23-5 -40°C から +125°C

SN74LVC1G08DBVR シングル2入力ANDゲート 1.65~5.5V電源 10ns伝搬遅延 SOT-23-5 -40℃~+125℃ andnbsp; 特長 andnbsp; andbull; 超小型0.64mm2パッケージ(DPW)で0.5mmピッチで利用可能 andbull; 5V ... 続きを読む
2025-08-08 11:30:45
中国 SN74LV541APWR オクタルバッファ/ラインドライバ 3ステート出力 5.5V耐性 12mAドライブ TSSOP-20 -40°C~+85°C 工場

SN74LV541APWR オクタルバッファ/ラインドライバ 3ステート出力 5.5V耐性 12mAドライブ TSSOP-20 -40°C~+85°C

SN74LV541APWR オクタルバッファー/ラインドライバー 3 状態出力 5.5V 容量 12mA ドライブ TSSOP-20 -40°C から +85°C 特徴 2Vから5.5VのVCCの動作 5Vで最大pdは6ns 典型的なVOLP (output ground bounce) < 0... 続きを読む
2025-08-08 11:30:45
中国 SN65LVDS100DR LVDSバッファ/ドライバ 400Mbpsデータレート 3.3V電源 100Ω内部終端 SOIC-8 -40°C~+85°C 工場

SN65LVDS100DR LVDSバッファ/ドライバ 400Mbpsデータレート 3.3V電源 100Ω内部終端 SOIC-8 -40°C~+85°C

SN65LVDS100DR LVDSバッファ/ドライバ 400Mbpsデータレート 3.3V電源 100Ω内部終端 SOIC-8 -40°C~+85°C andnbsp; 特徴 andbull; 2 Gbps以上の信号レート向けに設計1 andbull; 合計ジッタ< 65 ps andbull; ... 続きを読む
2025-08-08 11:30:45
中国 S25FL128SAGMFIR01 128Mb SPI NORフラッシュ 104MHzクロック 100K消去サイクル 20年データ保持 2.7~3.6V SOIC-16 -40℃~+85℃ 工場

S25FL128SAGMFIR01 128Mb SPI NORフラッシュ 104MHzクロック 100K消去サイクル 20年データ保持 2.7~3.6V SOIC-16 -40℃~+85℃

S25FL128SAGMFIR01 128Mb SPI NOR フラッシュ 104MHz 時計 100K 消去サイクル 20年 データ保存 2.7-3.6V SOIC-16 -40°C から +85°C 特徴 • 汎用的なI/Oを持つCMOS3.0Vコア • マルチI/Oのシリアル・ペリフェラル・イ... 続きを読む
2025-08-08 11:30:45
中国 PGA281AIPWR 高精度プログラマブルゲインアンプ 0.1~1000倍ゲイン 10MHz BW ±18V電源 0.025%ゲイン誤差 TSSOP-16 -40°C~+125°C 工場

PGA281AIPWR 高精度プログラマブルゲインアンプ 0.1~1000倍ゲイン 10MHz BW ±18V電源 0.025%ゲイン誤差 TSSOP-16 -40°C~+125°C

PGA281AIPWR 高精度プログラマブルゲインアンプ 0.1-1000x ゲイン 10MHz BW andplusmn;18V 電源 0.025% ゲインエラー TSSOP-16 -40anddeg;C ~ +125anddeg;C andnbsp; 特長 andbull; 広い入力範囲: ... 続きを読む
2025-08-08 11:30:45
中国 PGA205BU プログラマブルゲインアンプ 1-1000x ゲイン範囲 1MHz 帯域幅 ±18V 電源 0.01% ゲイン誤差 DIP-16 -40°C ~ +85°C 工場

PGA205BU プログラマブルゲインアンプ 1-1000x ゲイン範囲 1MHz 帯域幅 ±18V 電源 0.01% ゲイン誤差 DIP-16 -40°C ~ +85°C

PGA205BU プログラマブルゲインアンプ 1-1000x ゲイン範囲 1MHz 帯域幅 ±18V 電源 0.01% ゲインエラー DIP-16 -40°C~+85°C andnbsp; 特徴 デジタルプログラマブルゲイン: andnbsp; PGA204: G=1, 10, 100, 1000V... 続きを読む
2025-08-08 11:30:45
中国 NDS331N 20V NチャネルMOSFET 1.6A連続0.25Ω Rds ((オン) SOT-23 1.8V論理レベル -55°Cから+150°C 工場

NDS331N 20V NチャネルMOSFET 1.6A連続0.25Ω Rds ((オン) SOT-23 1.8V論理レベル -55°Cから+150°C

NDS331N 20V NチャネルMOSFET 1.6A連続0.25Ω Rds ((オン) SOT-23 1.8V論理レベル -55°Cから+150°C 特徴 1.3A 20V RDS (オン) = 0.21 @ VGS = 2.7 V RDS (オン) = 0.16 @ VGS = 4.5 V 業... 続きを読む
2025-08-08 11:30:45
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