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IRF5305PBF PチャネルMOSFET -55V Vdss -31A Id 65mΩ Rds(on) 高速スイッチング ロジックレベルゲート TO-220パッケージ

中国 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 認証
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IRF5305PBF PチャネルMOSFET -55V Vdss -31A Id 65mΩ Rds(on) 高速スイッチング ロジックレベルゲート TO-220パッケージ

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大画像 :  IRF5305PBF PチャネルMOSFET -55V Vdss -31A Id 65mΩ Rds(on) 高速スイッチング ロジックレベルゲート TO-220パッケージ

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: Infineon
証明: CE, GCF, ROHS
モデル番号: IRF5305PBF
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
価格: negotiable
パッケージの詳細: 最初に元のトレイに詰められ、次にカートン、最後に外側の梱包用のバブルバッグ
受渡し時間: 支払いを受け取ってから3〜5営業日
支払条件: T/T、ウェスタンユニオン、
供給の能力: 1ヶ月あたり1000個
詳細製品概要
タイプ: IGBTモジュール パッケージ: 新しいオリジナルF00R12KT4: 1200V 200A IGBTモジュール、低VCE(sat)、高い短絡耐久性、低いスイッチング損失、産業用モータードライブおよび高出力UPS向けの高絶縁性
状態: 新しい、オリジナル 鉛フリーステータス: Rohs準拠
配送業者: DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post、DHL、UPS、Fedex、EMS
ハイライト:

P-Chan MOSFET TO-220 パッケージ

,

IRF5305PBF 急速スイッチング MOSFET

,

論理レベルゲート MOSFET -55V

IRF5305PBF P-Chan MOSFET -55V Vdss -31A Id 65mOhm Rds ((オン) 急速スイッチング論理レベルゲート TO-220 パッケージ


特徴

  • Pチャンネル強化モード充電ポンプやレベルシフトを必要とせず,上側の切り替えを簡素化します.

  • -55V 排気源電圧 (Vdss)12V,24V,および48Vの自動車および産業バスシステムに適しています.

  • -31A 連続流出電流 (Id)◎ 中程度の電流から高い電流の負荷を安全に処理します.

  • 65mΩ マックス Rds (オン)低導電損失により効率が向上し,熱発生が減少します.

  • ロジックレベルゲートドライブVgs=−5Vから−10Vで完全に強化され,3.3V/5Vのマイクロコントローラと互換性がある.

  • 速やかな切り替え速度低ゲート充電 (Qg = 63nC典型) は,PWMアプリケーションでスイッチ損失を最小限に抑える.

  • RoHS 準拠性 鉛のない"PBF"の前項は 環境に優しい鉛のない端末を表します

申請

  • 逆極性保護自動車や携帯機器の電池の意外な逆転からDC入力回路を保護します.

  • バッテリー管理システム (BMS)リーオン,ライフPO4,鉛酸電池の上部接続を切断

  • 負荷スイッチ組み込みシステムのモジュール,センサー,または周辺回路への電力を有効/無効にする.

  • DCモーター制御低周波PWM速度制御 小型のブラシモーター (電動工具,ポンプ,ファン)

  • 電源の選択主電池とバックアップ電池,またはACアダプターの入力間を切り替える.

  • LED運転自動車照明,標識,工業用ランプの高面暗め制御

  • 太陽電荷制御装置低出力オフグリッドシステムにおけるパネルやバッテリーの切断機能

記述

についてIRF5305PBF先進的なHEXFET®技術を用いたPチャネル電源MOSFETです.業界標準のTO-220パッケージに収蔵されています.低オン状態抵抗と高速スイッチング性能を必要とする高効率のスイッチングアプリケーション用に設計されています-55Vの流出源電圧と -31Aの連続流出電流を指定して,このデバイスは,負荷切換,バッテリー保護,ポジティブ・グラウンド・スイッチや高端Pチャンネルスイッチが好ましい場合論理レベルゲートドライブは,マイクロコントローラーと低電圧制御回路とのインターフェースを簡素化します.

情報

カテゴリー
離散半導体製品
トランジスタ
MOSFETは
MOSFETを操作する
異なるIDのVgs (th) (最大)
4V @ 250μA
製造者
インフィニオン・テクノロジーズ
異なるVgs (最大) のゲート電荷 (Qg)
63 nC @ 10 V
シリーズ
HEXFET®
Vgs (最大)
±20V
パッケージ
パイプフィッティング
異なるVDSでの入力容量 (CIS) (最大)
1200 pF @ 25 V
部品の状態
販売中
電力消耗 (最大)
110W (Tc)
FETタイプ
Pチャネル
動作温度
-55°C ~ 155°C (TJ)
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)
装着型
穴を抜いて
排気源電圧 (Vdss)
55V
製造者のデバイスパッケージ
TO-220AB
25°Cの電流 - 連続流出 (ID)
31A (Tc)
パッケージ/包装
TO-220-3
駆動電圧 (最大RDSオン,最小RDSオン)
10V
基本製品番号
IRF5305
異なるIDとVgsでのオン抵抗 (最大)
60mOhm @ 16A, 10V

図面

IRF5305PBF PチャネルMOSFET -55V Vdss -31A Id 65mΩ Rds(on) 高速スイッチング ロジックレベルゲート TO-220パッケージ

利点は携帯電話,PDA,ノートPC

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連絡先の詳細
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コンタクトパーソン: Mrs. Natasha

電話番号: 86-13723770752

ファックス: 86-755-82815220

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