BSS123LT1G NチャネルMOSFET 低170mΩ RDS(on) 20V VDS 100V アバランシェ定格 SOT-23パッケージとESD保護を備え、低電力スイッチング負荷スイッチングやDC-DC変換に最適

BSS123LT1G NチャネルMOSFET 低 170mΩ RDS(on) 20V VDS 100V アバランシェ定格 低電力スイッチング負荷スイッチングおよびDC-DC変換に最適 SOT-23パッケージとESD保護付き

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特徴

•HBM Class 0A、MM Class M1B (注4)

•自動車およびその他の用途向けBVSSプレフィックス。独自のサイトおよび管理変更要件が必要。AEC−Q101準拠およびPPAP対応

•これらのデバイスはPbフリーで、RoHSに準拠しています

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用途

• 負荷スイッチング:回路の一部の電源のオン/オフを制御します。

• レベルシフト:異なる電圧ドメインの回路間で信号を変換します（例：3.3V信号を5Vに変換）。

• LED駆動:LEDのオン/オフ状態を制御したり、単純なPWM調光に使用するスイッチとして機能します。

• ロジックインターフェースバッファリング/駆動:マイクロコントローラーのGPIOピンの駆動能力を強化して、より大きな負荷を駆動します。

• 高速スイッチング:スイッチモード電源、DC-DCコンバーター（低電力）の二次側同期整流で使用されます。

• 家電製品:携帯電話、タブレット、デジタルカメラなどのポータブルデバイス。

• 自動車エレクトロニクス:ボディコントロールモジュール、センサーインターフェースなど（注：特定の部品がAEC認定されているか確認してください。BSS123LT1Gは通常、産業/商用グレードです）。

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説明

1：低しきい値電圧（Vgs(th)）：通常1.6Vから2.1Vの間で、低電圧（例：3.3Vまたは2.5VのGPIOからマイクロコントローラー）で直接駆動できるため、ロジックレベルのアプリケーションに最適です。

2：低オン抵抗（RDS(on)）：

10V Vgsで最大6Ω、4.5V Vgsで10Ω。RDS(on)が低いほど、オン時の電力損失と電圧降下が少なくなり、効率が向上します。3：小型パッケージ（SOT-23）：

非常に小さなフットプリントで、PCBスペースを節約し、最新のコンパクトな電子機器に最適です。

4：高速スイッチング性能:PWM制御など、頻繁なスイッチングを必要とするアプリケーションに適した高速スイッチング速度を備えています。

5：連続ドレイン電流（Id）：最大170mAで、LED、小型リレー、モーターなどの小型負荷の制御に適しています。

6：ドレイン-ソース間電圧（Vdss）：

最大100Vで、比較的高い電圧の回路での使用を可能にします。 

情報カテゴリ

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トランジスタ

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強力なブランド：


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