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BSS123LT1G NチャネルMOSFET 低170mΩ RDS(on) 20V VDS 100V アバランシェ定格 SOT-23パッケージとESD保護を備え、低電力スイッチング負荷スイッチングやDC-DC変換に最適

中国 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 認証
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BSS123LT1G NチャネルMOSFET 低170mΩ RDS(on) 20V VDS 100V アバランシェ定格 SOT-23パッケージとESD保護を備え、低電力スイッチング負荷スイッチングやDC-DC変換に最適

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大画像 :  BSS123LT1G NチャネルMOSFET 低170mΩ RDS(on) 20V VDS 100V アバランシェ定格 SOT-23パッケージとESD保護を備え、低電力スイッチング負荷スイッチングやDC-DC変換に最適

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: ON Semiconductor
証明: CE, GCF, ROHS
モデル番号: BSS123LT1G
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
価格: negotiable
パッケージの詳細: 最初に元のトレイに詰められ、次にカートン、最後に外側の梱包用のバブルバッグ
受渡し時間: 支払いを受け取ってから3〜5営業日
支払条件: T/T、ウエスタンユニオン、
供給の能力: 1か月あたり1000pcs
詳細製品概要
関数: ステップアップ、ステップダウン 出力構成: 正または否定
トポロジー: バック、ブースト 出力タイプ: 調整可能
出力数: 1

BSS123LT1G NチャネルMOSFET低170mΩ RDS (オン) 20V VDS 100V アヴァランス定数 低電源切換負荷切換とSOT-23パッケージとESD保護によりDC-DC変換に最適

 

特徴

•HBMクラス0A,MMクラスM1B (注4)

•BVSSプレフィックス 自動車用およびユニークなサイトおよび制御変更要件を必要とする他のアプリケーション; AEC−Q101 資格があり,PPAP 対応

•これらのデバイスは,Pb−フリーで,RoHS準拠です.

 

申請

  • 負荷切換:電路の部分の電源オン/オフの制御

  • レベルシフト:異なる電圧域の回路間の信号変換 (例えば,3.3V信号を5Vに変換)

  • LED運転:LEDのオン/オフ状態を制御するスイッチや単純なPWMディミングのスイッチとして動作する.

  • ロジックインターフェイス ブッファー/ドライビングマイクロコントローラGPIOピンの駆動能力を向上させ,より大きな負荷を駆動する.

  • 高速切り替え:スイッチモード電源,DC-DC変換器 (低電源) の二次側同期直線に使用される.

  • 消費電子機器:携帯デバイス 例えば携帯電話 タブレット デジタルカメラ

  • 自動車電子機器:身体制御モジュール,センサーインターフェイスなど (注:特定の部品がAEC合格かどうかを確認する.BSS123LT1Gは通常産業用/商業用品である).

 

記述

1:低値電圧 (Vgs(th)):通常は1.6Vから2.1Vの間にあり,これは低電圧 (例えば3.3Vまたは2.5V) によって直接動かすことができることを意味します.

GPIOをマイクロコントローラーから),論理レベルのアプリケーションに最適化.

2:低オン抵抗 (RDS(オン)10V Vgs で最大6Ω と 4.5V Vgs で最大10Ω.より低い RDS ((オン) は,より少ない電源損失と電圧を意味します.

オンにすると 降るので 効率が上がります

3:小さなパッケージ (SOT-23):とても小さな足跡で PCBのスペースを節約します 現代のコンパクト電子機器に最適です

4:高速スイッチング性能:PWMなどの頻繁な切り替えを必要とするアプリケーションに適した高速切換速度

コントロール

5:連続流出電流 (Id):170mAまで,LED,小型リレー,モーターなどの小さな負荷を制御するのに適しています.

6:排水源電圧 (Vdss):最大100Vで,比較的高電圧の回路で使用できます.

 

情報

カテゴリー
Mfr
シリーズ
-
パッケージ
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
部品のステータス
アクティブ
FETタイプ
テクノロジー
流出電圧から源電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン)
10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs
6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id
2.6V @ 1mA
Vgs (最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
20 pF @ 25 V
FET 特徴
-
電力消耗 (最大)
225mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
グレード
-
資格
-
マウントタイプ
表面マウント
供給者のデバイスパッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース
基本製品番号

 

図面

BSS123LT1G NチャネルMOSFET 低170mΩ RDS(on) 20V VDS 100V アバランシェ定格 SOT-23パッケージとESD保護を備え、低電力スイッチング負荷スイッチングやDC-DC変換に最適 0

利点は携帯電話,PDA,ノートPC

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製品リスト
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提案は以下の通りです
統合回路,メモリIC,ダイオード,トランジスタ,コンデンサ,レジスタ,バリスト,フィューズ,トリマー&ポテンチオメーター,トランスフォーマー,バッテリー,ケーブル,リレー,スイッチ,コネクタ,ターミナルブロッククリステル&オシレーター感受器,センサー,トランスフォーマー,IGBTドライバー,LED,LCD,コンバーター,PCB (プリント回路板),PCBA (PCBアセンブリ)

強いブランド:
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