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私達はPCB Bomのための通信モジュール、アンテナ、PCB、PCBAおよび全部品からのワンストップ解決サービスを、提供します。
| 周波数安定性: | ±50ppm | 周波数容量: | ±30ppm |
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| 動作温度: | -40°C ~ 85°C | 負荷容量: | 18pF |
| パッケージ / ケース: | HC-49/US | 名前: | 受動の電子部品 |
| ハイライト: | D2PAK-7 CSD18563Q5A MOSFET,300A CSD18563Q5A MOSFET,AEC-Q101 Qualified CSD18563Q5A MOSFET |
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CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS(on) 300A 高速スイッチング AEC-Q101 認定 優れた熱性能 D2PAK-7 パッケージ 車載および電力用途向け
特徴
• 超低 Qg および Qgd
• リンギングを低減するソフトボディダイオード
• 低熱抵抗
• アバランシェ定格
• ロジックレベル
• 鉛フリー端子めっき
• RoHS 準拠
• ハロゲンフリー
• SON5mm×6mm プラスチックパッケージ
用途
産業用バックコンバータ用ローサイド FET
二次側同期整流器
モーター制御
説明
この 5.7 mΩ、60 V SON 5 mm × 6 mm NexFET™ パワー MOSFET は、CSD18537NQ5A 制御 FET とペアで使用し、完全な産業用バックコンバータチップセットソリューションの同期 FET として機能するように設計されています。
情報
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カテゴリ
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メーカー
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シリーズ
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パッケージング
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テープ＆リール (TR)
カットテープ (CT)
Digi-Reel®
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部品ステータス
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アクティブ
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FET タイプ
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テクノロジー
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ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
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60 V
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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6.8mΩ @ 18A、10V
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Vgs(th) (最大) @ Id
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2.4V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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20 nC @ 10 V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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1500 pF @ 30 V
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FET 特徴
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消費電力 (最大)
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3.2W (Ta)、116W (Tc)
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動作温度
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-55°C ～ 150°C (TJ)
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グレード
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認定
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実装タイプ
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表面実装
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サプライヤデバイスパッケージ
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8-VSONP (5x6)
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パッケージ/ケース
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基本製品番号
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図面
2. 通信アンテナ、RF 同軸ケーブル、RF コネクタ、端子の製造。
3. GSM/GPRS、GPS、3G、4G/LTE モジュールの販売。
当社の高品質な製品、競争力のある価格、専門的なサービスは、
あらゆる種類の部品に対するお客様のニーズを必ず満たします。 ^_^
コンタクトパーソン: Mrs. Natasha
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