FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14回の書き換え可能回数 151年のデータ保持 無遅延書き込み 3.6V最大、SOIC-8 -40°C～85°C

FM24CL64B-GTR

そして

特徴

■ 論理的に 8K とtimes に組織された64Kbitの鉄電磁ランダムアクセスメモリ (F-RAM) 8

高耐久性100兆 (1014) の読み書き

保存期間151年 (データ保存と耐久性 10ページ参照)

遅延なし 書き込み

高度な信頼性の高いフェロー電気工法

■高速な2ワイヤーシリアルインターフェース (I2C)

1MHzまで周波数

シリアル (I2C) EEPROMの直接ハードウェア交換

100kHzと400kHzの古いタイミングをサポートする

■ 低電力消費

100 kHz のアクティブ電流 (典型) 100A スタンバイ電流 (典型) 3

■電圧操作:VDD=2.7Vから3.65V

■工業用温度: 灰 40°C から +85°C

■ パッケージ

8ピンの小型コンスート統合回路 (SOIC) パッケージ

8ピンの薄いダブルフラット・ノー・リード (DFN) パッケージ

■ 危険物質の制限 (RoHS) に準拠する

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機能説明

FM24CL64Bは,先進的なフェロー電気プロセスを採用した64Kbitの非揮発性メモリである.フェロー電気ランダムアクセスメモリまたはF-RAMは,非揮発性であり,RAMと同様の読み書きを行う.複雑さをなくして 151 年間信頼性の高いデータ保存を可能にしますEEPROM や他の非揮発性メモリによって引き起こされる,オーバーヘッド,およびシステムレベルの信頼性の問題.

EEPROMとは異なり,FM24CL64Bはバス速度で書き込み操作を行う.書き込み遅延が発生しない.データがメモリ配列に書き込まれます 各バイトがデバイスに成功裏に転送された直後に. 次のバスのサイクルはデータ・ポリングの必要なしに開始できます. さらに,この製品は他の非揮発性メモリと比較して実質的な書き込み耐久性を提供します. さらに,F-RAMは,書き込み回路の書き込み操作には内部的に電源電圧が上昇する必要がないため, EEPROMよりも書き込み中にはるかに低い電力を発揮する.FM24CL64Bは,EEPROMよりも1014回の読み書きサイクル,または1億倍の書き込みサイクルをサポートすることができます.

これらの機能により,FM24CL64Bは,頻繁または迅速な書き込みを必要とする非揮発性メモリアプリケーションに理想的です.例は,書き込みサイクルの数が重要な場合のデータログから範囲です.,EEPROM の長時間の書き込み時間がデータ損失を引き起こす場合.機能の組み合わせにより,システムにかかるオーバーヘッドが少なく,より頻繁なデータ書き込みが可能になります.

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情報

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図面

利点は

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製品リスト
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