IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET 低Rds (オン) 65mΩ 急速スイッチング 高周波 頑丈なボディダイオード 高温操作 TO-264 パッケージ

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET 低 Rds(on) 65mΩ 高速スイッチング 高周波 堅牢なボディダイオード 高温動作 TO-264 パッケージ

特徴

• 国際標準パッケージ

• miniBLOC、窒化アルミニウム絶縁付き

• 低 RDS(on) および QG

• アバランシェ定格

• 低パッケージインダクタンス

• 高速内蔵整流器

アプリケーション

• スイッチモードおよび共振モード電源

• DC-DCコンバータ

• レーザードライバー

• ACおよびDCモータードライブ

• ロボティクスおよびサーボ制御

説明

この IXFN56N90P は、要求の厳しい電力変換システムで優れた効率と性能を発揮するように設計された、TO-264パッケージの高電圧、大電流シリコンカーバイド（SiC）MOSFETです。 SiC技術の利点を活かし、900Vの耐圧と56Aの連続電流という優れた組み合わせを提供します。 65mΩの非常に低いオン抵抗（Rds(on)）は、伝導損失を最小限に抑え、SiCの固有の特性により、低損失で非常に高速なスイッチング速度を実現し、高周波動作を可能にします。 これにより、磁性部品やコンデンサなどの受動部品のサイズとコストを削減できます。 このMOSFETは、優れた逆回復特性を備えた堅牢な内蔵ボディダイオードを備えており、ハードスイッチングアプリケーションでの信頼性を向上させます。 高温動作能力と業界標準パッケージにより、最新の電力設計に堅牢で汎用性の高いソリューションを提供します。

情報

図面

当社の利点：携帯電話、PDA、ノートパソコン

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製品リスト
一連の電子部品、半導体、アクティブおよびパッシブコンポーネントをフルレンジで提供しています。PCBのBOMをすべて入手できるようお手伝いします。つまり、ここでワンストップソリューションを得ることができます。


提供内容：
集積回路、メモリIC、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ、抵抗器、バリスタ、ヒューズ、トリマーおよびポテンショメータ、トランス、バッテリー、ケーブル、リレー、スイッチ、コネクタ、端子台、水晶および発振器、インダクタ、センサー、トランス、IGBTドライバ、LED、LCD、コンバータ、PCB（プリント基板）、PCBA（PCBアセンブリ）

強力なブランド：
Microchip、MAX、AD、TI、ATMEL、ST、ON、NS、Intersil、Winbond、Vishay、ISSI、Infineon、NEC、FAIRCHILD、OMRON、YAGEO、TDKなど