FM25CL64B-GTR 64Kb シリアルF-RAM、20MHz SPI、ノーディレイ書き込み、10^14回の耐久性、151年のデータ保持、2.0～3.6V動作、-40℃～+85℃、小型SOICパッケージ

FM25CL64B-GTR 64Kb シリアル F-RAM 20MHz SPI 無遅延書き込み 10^14 耐久性 151年 データ保存 2.0-3.6V 動作 -40°C から +85°C 小型SOIC パッケージ

特徴

■ 8K × 8 として論理的に組織された64Kbitの鉄電気ランダムアクセスメモリ (F-RAM)

高耐久性100兆 (1014) の読み書き

保存期間151年 (データ保存と耐久性12ページ参照)

投稿者: ノーデレイ

高度な信頼性の高いフェロー電気工法

■ 非常に高速なシリアル周辺インターフェース (SPI)

〜20MHzまでの周波数

シリアルフラッシュとEEPROMの直接ハードウェア交換

SPIモード 0 (0, 0) とモード 3 (1, 1) をサポートします.

■ 複雑な書き込み保護制度

書き込み保護 (WP) ピンを使用してハードウェア保護

書き込み無効化命令を使用してソフトウェア保護

1/4,1/2,またはすべての配列のためのソフトウェアブロック保護

■ 低電力消費

1MHzで 200Aのアクティブ電流

3A (典型) 待機電流

■低電圧操作:VDD=2.7Vから3.65V

■ 工業用温度: 40°C から +85°C

■ パッケージ

8ピンの小型コンスート統合回路 (SOIC) パッケージ

8ピンの薄いダブルフラット・ノー・リード (DFN) パッケージ

■ 危険物質の制限 (RoHS) に準拠する

申請

1産業自動化と制御システム

例PLC (プログラム可能な論理制御器),スマートセンサー,モータードライブ,産業ロボット

なぜそれが適切なのかF-RAMの超高耐久性と高速性により,F-RAMは,F-RAMの動作を記録し,F-RAMは,F-RAMの動作を記録します.遅延のない書き込みは,重要なデータが完全に保存されるようにします.書き込み遅延によるデータ損失を防ぐ.

2自動車電子機器

例:ADASのイベントデータレコーダー (EDR),自動車用ブラックボックス,計測器,ボディ制御モジュール

なぜそれが適切なのか: 事故や突然の停電時に大量のセンサーデータを即座に記録する必要があります. F-RAMの高速書き込み特性は理想的です.高い耐久性は,マイル数やドアオープン/閉じるカウントなどの頻繁に更新されたデータにも適しています.

3医療機器

例: 携帯医療モニター (例えば,血糖計,心拍数計),植入可能な装置,診断機器.

なぜそれが適切なのか: デバイスは,患者データ,使用日記,校正情報を信頼的に記録する必要があります.F-RAMの低電力消費と高い信頼性は,データセキュリティと長期にわたる安定した運用に不可欠です.

4スマートメーターと測定システム

例スマート電気メーター 水メーター ガソリンメーター

なぜそれが適切なのか: 数秒ごとに累積的な使用データを更新し,電源喪失の前に最終値を保存する必要があります.日々の頻繁な書き込みはEEPROMにとって大きな課題ですが,F-RAMには問題ではありません..

5データ ロガー

例: 環境監視 (温度,湿度,圧力記録),GPS追跡装置

なぜそれが適切なのか: これらのアプリケーションは,高周波のデータストリームの継続的なログアップを必要とします.F-RAMの高速な書き込み速度と無限の耐久性により,EEPROMに固有の書き込み遅延によるデータ損失やボトルネックのリスクなしにシームレスなデータログが可能です..

6高級消費電子機器

例専門的なオーディオ機器 スマートホーム ハブ ゲーム周辺機器

なぜそれが適切なのか: ユーザー設定,ゲーム状態,またはリアルタイムセンサーデータの迅速な保存が必要な場合,F-RAMはEEPROMよりもスムーズで信頼性の高い体験を提供します.

記述

FM25CL64Bは,先進的なフェロー電気プロセスを採用した64Kbitの非揮発性メモリである.フェロー電気ランダムアクセスメモリまたはF-RAMは,非揮発性であり,RAMと同様の読み書きを行う.複雑さをなくして 151 年間信頼性の高いデータ保存を可能にしますシリアルフラッシュ,EEPROM,および他の非揮発性メモリによって引き起こされる,オーバーヘッド,およびシステムレベルの信頼性の問題.

シリアルフラッシュとEEPROMとは異なり,FM25CL64Bはバス速度で書き込み操作を行う.書き込み遅延が発生しない.データがメモリ配列に書き込まれます 各バイトがデバイスに成功裏に転送された直後に. 次のバスのサイクルはデータ・ポーリングの必要なく開始できます.また,この製品は他の非揮発性メモリと比較して実質的な書き込み耐久性を提供します.FM25CL64Bは1014回の読み書きサイクルをサポートできるEEPROMよりも1億倍も多いです

これらの機能により,FM25CL64Bは,頻繁または迅速な書き込みを必要とする非揮発性メモリアプリケーションに理想的です.書き込みサイクルの数が重要な場合シリアルフラッシュやEEPROMの長時間書き込みがデータ損失を引き起こす場合.

FM25CL64Bは,ハードウェアのドロップイン代替としてシリアルEEPROMまたはフラッシュのユーザーに実質的な利点を提供します. FM25CL64Bは高速SPIバスを使用します.F-RAM技術の高速書き込み能力を向上させる装置の仕様は,工業用温度範囲40°Cから85°Cまで保証されます.

情報

図面

利点は携帯電話,PDA,ノートPC

• 高品質の製品 --- 私たちのオファーは100%新品とオリジナルで,ROHSです
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製品リスト
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統合回路,メモリIC,ダイオード,トランジスタ,コンデンサ,レジスタ,バリスト,フィューズ,トリマー&ポテンチオメーター,トランスフォーマー,バッテリー,ケーブル,リレー,スイッチ,コネクタ,ターミナルブロッククリステル&オシレーター感受器,センサー,トランスフォーマー,IGBTドライバー,LED,LCD,コンバーター,PCB (プリント回路板),PCBA (PCBアセンブリ)

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