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STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control

中国 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 認証
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STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control

STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control
STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control

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商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: STMicroelectronics
証明: CE, GCF, ROHS
モデル番号: STP55NF06FP
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
価格: negotiable
パッケージの詳細: 最初に元のトレイに詰められ、次にカートン、最後に外側の梱包用のバブルバッグ
受渡し時間: 支払いを受け取ってから3〜5営業日
支払条件: T/T、ウエスタンユニオン、
供給の能力: 1か月あたり1000pcs
詳細製品概要
関数: ステップアップ、ステップダウン 出力構成: 正または否定
トポロジー: バック、ブースト 出力タイプ: 調整可能
出力数: 1
ハイライト:

N-Channel Power MOSFET 55A 60V

,

TO-220FP MOSFET low gate charge

,

Logic Level MOSFET high speed switching

STP55NF06FP 55A 60V Nチャネル電源MOSFETと0.02andOmega; RDS (オン) TO-220FP アヴァランシュ レーティング ロジックレベル 高速スイッチングと低ゲートチャージ 効率的な電力制御

そして

特徴

1:低オン抵抗 (低RDS(オン)): 非常に低い最大電源抵抗0.02とオメガ(Vgs=10Vで),導電損失を削減し,効率を向上させ,熱発生を最小限に抑える.

2高電流処理: 容量最大55A絶え間ない流出電流で,さらに高いパルス電流の容量で,高出力アプリケーションに適しています.

3論理レベルゲートドライブ: 低しきい電圧 (Vgs(th) 通常2Vから4V) において,5Vまたは3.3Vのマイクロコントローラによって直接駆動される(例えば,Arduino,STM32) レベルシフト回路を必要としない.

4:高速切換速度:SMPSとPWMモーター制御などの高周波スイッチングアプリケーションに最適化され,スイッチング損失を削減します.

5:完全に隔離されたパッケージ (TO-220FP フルパック): TO-220FP 包装は金属ヒートシンクを完全に包み,強化された保温そしてそして安全性追加的な保温パッドの必要性をなくして 組み立てを簡素化します

6:高電圧指定: 排気源電圧 (Vds) の定数60V12V,24V,およびより高い電圧システムに十分な範囲を提供します.

7頑丈なデザイン:雪崩の評価誘導式負荷切換 (例えばモーター,リレー) から生じるエネルギー急上昇下で耐久性を確保する.

8:低ゲートチャージ (Qg): 低総ゲートチャージにより,運転の必要性が軽減され,効率的な高速スイッチが可能になります.

そして

申請

■ アプリケーションの変更

そして

記述

これらのパワーMOSFETは,STMmicroelectronicsのユニークなSTripFETプロセスを用いて開発され,入力容量とゲート電荷を最小限に抑えるように特別に設計されています.これは,通信およびコンピュータアプリケーションのための高度な高効率の孤立DCDCコンバーターで主要なスイッチとして使用するのに適しています低ゲートチャージ運転要件のあるアプリケーション.

そして

情報

カテゴリー
Mfr
シリーズ
パッケージ
トューブ
部品のステータス
アクティブ
FETタイプ
テクノロジー
流出電圧から源電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25anddeg;C
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン)
10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs
18mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id
4V @ 250andマイクロA
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (最大)
+mn;20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET 特徴
-
電力消耗 (最大)
30W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グラード
-
資格
-
マウントタイプ
穴を抜ける
供給者のデバイスパッケージ
TO-220FP
パッケージ/ケース
基本製品番号

そして

図面

STP55NF06FP 55A 60V N-Channel Power MOSFET with <0.02Ω RDS(on) TO-220FP Avalanche Rated Logic Level High Speed Switching and Low Gate Charge for Efficient Power Control 0

利点は携帯電話,PDA,ノートPC

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そして

部品の種類をすべて満たすようにしてください.やってみろ


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強いブランド:
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連絡先の詳細
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コンタクトパーソン: Mrs. Natasha

電話番号: 86-13723770752

ファックス: 86-755-82815220

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