IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 高速10ns SRAM 3.3V 低電力産業温度 (-40°C~+85°C) 48ボールのBGAパッケージ アシンクロン操作 高信頼性データ保存

IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 高速 10ns SRAM 3.3V 動作 低電力 産業用温度 (-40℃～+85℃) 48ボールBGAパッケージ 非同期動作 高信頼性 データ保持

特徴

• 高速アクセス時間：8、10、20 ns

• 高性能、低消費電力 CMOS プロセス

• より高いノイズ耐性のための複数のセンター電源およびグランドピン

• CE および OE オプションによる簡単なメモリ拡張

• CE パワーダウン

• 完全静的動作：クロックやリフレッシュは不要

• TTL 互換の入力と出力

• 単一電源

  Vdd 1.65V ～ 2.2V (IS61WV102416ALL)

  速度 = 20ns

  Vdd 1.65V ～ 2.2V Vdd 2.4V ～ 3.6V (IS61/64WV102416BLL)

  速度 = 10ns (Vdd 2.4V ～ 3.6V)

  速度 = 8ns (Vdd 3.3V + 5%)

• 利用可能なパッケージ:

  – 48ボール miniBGA (9mm x 11mm)

  – 48ピン TSOP (タイプ I)

• 産業および自動車温度サポート

• 鉛フリー対応

• 上位バイトと下位バイトのデータ制御

アプリケーション

1: 産業オートメーション (PLC、ロボット)

2: 自動車エレクトロニクス (ECU、ADAS)

3: ネットワーク機器 (ルーター、スイッチ)

4: 組み込みシステム (オーディオ/ビデオ処理、航空宇宙)

5: 高速データバッファリング/キャッシング

説明

ISSI IS61WV102416ALL/BLL および IS64WV102416BLL は、1024K ワード x 16 ビットとして構成された高速 16M ビット SRAM です。 ISSI の高性能 CMOS 技術を使用して製造されています。 この非常に信頼性の高いプロセスと革新的な回路設計技術を組み合わせることで、高性能で低消費電力のデバイスが実現します。

CE が HIGH (非選択) の場合、デバイスはスタンバイモードになり、CMOS 入力レベルで消費電力を削減できます。

チップイネーブルと出力イネーブル入力、CE および OE を使用することで、メモリの拡張が容易になります。 アクティブ LOW のライトイネーブル (WE) は、メモリの書き込みと読み取りの両方を制御します。 データバイトにより、上位バイト (UB) と下位バイト (LB) へのアクセスが可能になります。

このデバイスは、JEDEC 標準の 48 ピン TSOP タイプ I および 48 ピン Mini BGA (9mm x 11mm) でパッケージ化されています。

情報

図面

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製品リスト
一連の電子部品、半導体、アクティブおよびパッシブコンポーネントの全範囲を提供します。PCB の BOM をすべて入手できます。つまり、ここでワンストップソリューションを得ることができます。


提供内容：
集積回路、メモリ IC、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ、抵抗器、バリスタ、ヒューズ、トリマー＆ポテンショメータ、トランス、バッテリー、ケーブル、リレー、スイッチ、コネクタ、端子台、水晶＆発振器、インダクタ、センサー、トランス、IGBT ドライバ、LED、LCD、コンバータ、PCB (プリント基板)、PCBA (PCB アセンブリ)

強力なブランド：
Microchip、MAX、AD、TI、ATMEL、ST、ON、NS、Intersil、Winbond、Vishay、ISSI、Infineon、NEC、FAIRCHILD、OMRON、YAGEO、TDK など