IRFB4227PBF 200V/195A MOSFET、超低4.5mΩ Rds(on)、TO-220パッケージ、ロジックレベルドライブ、アバランシェ定格、高速スイッチング、高効率、モーター制御および電源システム向け堅牢設計

IRFB4227PBF 200V/195A MOSFET、超低4.5mΩ Rds(on) TO-220パッケージ、ロジックレベルドライブ、アバランシェ定格、高速スイッチング、高効率、堅牢設計、モーター制御および電力システム用

特徴

高度なプロセス技術

PDPサステイン、エネルギー回収、パススイッチアプリケーション向けに最適化された主要パラメータ

PDPサステイン、エネルギー回収、パススイッチアプリケーションにおける電力損失を削減するための低EPULSE定格

高速応答のための低QG

信頼性の高い動作のための高い繰り返しピーク電流能力

高速スイッチングのための短い立ち下がり時間と立ち上がり時間

堅牢性を向上させるための175℃の動作接合温度

堅牢性と信頼性のための繰り返しアバランシェ能力

クラスDオーディオアンプ300W-500W（ハーフブリッジ）

アプリケーション

1：モーター駆動と制御：

これはその最も典型的なアプリケーションシナリオです。高電圧（200V）、非常に高い電流（195A）、超低オン抵抗（4.5mΩ）により、高出力DCモーター、ブラシレスDCモーター（BLDC）、サーボモーターの駆動と制御に非常に効率的です。産業オートメーション、ロボット工学、電気自動車（例：モーターコントローラー）、ドローンESC（電子速度コントローラー）などで広く使用されています。

2：スイッチングモード電源（SMPS）：
特に高電流出力DC-DCコンバーター、同期整流、力率改善（PFC）回路に適しています。低Rds(on)により、導通損失が大幅に削減され、電源全体の効率が向上します。

3：パワーインバーター：
太陽光発電インバーター、UPS（無停電電源装置）、周波数コンバーター、溶接機などのインバーターブリッジに最適で、DC電力をAC電力に変換します。

4：高電流スイッチングと負荷スイッチング：
高出力DC負荷を制御するためのソリッドステートリレー、電子負荷スイッチ、その他のデバイスの構築に使用できます。

説明

このHEXFET®パワーMOSFETは、プラズマディスプレイパネルのサステイン、エネルギー回収、パススイッチアプリケーション向けに特別に設計されています。このMOSFETは、最新の処理技術を利用して、シリコン面積あたりの低オン抵抗と低EpuLsE定格を実現しています。このMOSFETの追加機能には、175℃の動作接合温度と高い繰り返しピーク電流能力があります。これらの機能を組み合わせることで、このMOSFETはPDP駆動アプリケーション向けの非常に効率的で、堅牢で、信頼性の高いデバイスになります。

情報

図面

当社の利点：携帯電話、PDA、ノートブックコンピュータ

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• 迅速な配達---お支払いが確認されてから1〜3営業日以内に商品を発送します。

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製品リスト
一連の電子部品、半導体、アクティブおよびパッシブ部品の全範囲を提供しています。PCBのBOMをすべて入手するお手伝いをいたします。つまり、ここでワンストップソリューションを得ることができます。


提供内容：
集積回路、メモリIC、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ、抵抗器、バリスタ、ヒューズ、トリマーおよびポテンショメータ、トランス、バッテリー、ケーブル、リレー、スイッチ、コネクタ、端子台、水晶および発振器、インダクタ、センサー、トランス、IGBTドライバ、LED、LCD、コンバータ、PCB（プリント基板）、PCBA（PCBアセンブリ）

強力なブランド：
Microchip、MAX、AD、TI、ATMEL、ST、ON、NS、Intersil、Winbond、Vishay、ISSI、Infineon、NEC、FAIRCHILD、OMRON、YAGEO、TDKなど