上は中国の専門の電子部品のディストリビューターです。
私達はPCB Bomのための通信モジュール、アンテナ、PCB、PCBAおよび全部品からのワンストップ解決サービスを、提供します。
|
商品の詳細:
お支払配送条件:
|
| 関数: | ステップアップ、ステップダウン | 出力構成: | 正または否定 |
|---|---|---|---|
| トポロジー: | バック、ブースト | 出力タイプ: | 調整可能 |
| 出力数: | 1 | ||
| ハイライト: | デュアルN+Pチャネル MOSFET 20V SOIC-8,ロジックレベル 高速スイッチング パワーMOSFET,高性能力管理IC |
||
| 機能 | ステップアップ,ステップダウン |
| 出力構成 | ポジティブ か ネガティブ |
| トポロジー | バック,ブースト |
| 出力型 | 調節可能 |
| 出力数 | 1 |
このHEXFET® パワー MOSFETは,SOIC-8パッケージで ±5.3Aの電流と 20Vの電圧の2つのN+Pチャネル構成を備えています.超低 0.045Ω Rds ((オン) と1.8Vの論理レベルで,スペースを節約しながら,電力管理アプリケーションの高速スイッチと高効率を提供します..
| カテゴリー | 離散半導体製品>トランジスタ>FET,MOSFET |
| 製造者 | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | HEXFET® |
| パッケージ | テープ&リール (TR) カットテープ (CT) ディジリール® |
| 部品のステータス | 時代遅れ |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 12V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 1.8V,4.5V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 11.5A,4.5V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 900mV @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 38 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大) | ±8V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3529 pF @ 10 V |
| 電力消耗 (最大) | 2.5W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-SO |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154",3.90mm 幅) |
| 基本製品番号 | IRF7420 |
私たちは半導体,アクティブ・パシブ・コンポーネントを含む 電子部品の全範囲を供給しています.
コンタクトパーソン: Mrs. Natasha
電話番号: 86-13723770752
ファックス: 86-755-82815220
