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商品の詳細:
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| 関数: | ステップアップ、ステップダウン | 出力構成: | 正または否定 |
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| トポロジー: | バック、ブースト | 出力タイプ: | 調整可能 |
| 出力数: | 1 | ||
| ハイライト: | デュアルN+Pチャネル MOSFET 20V SOIC-8,ロジックレベル 高速スイッチング パワーMOSFET,高性能力管理IC |
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| 関数 | ステップアップ、ステップダウン |
| 出力構成 | ポジティブまたはネガティブ |
| トポロジー | 降圧、昇圧 |
| 出力タイプ | 調整可能 |
| 出力数 | 1 |
この HEXFET® パワー MOSFET は、SOIC-8 パッケージで±5.3A 電流定格および 20V 電圧のデュアル N+P チャネル構成を備えています。超低 0.045Ω Rds(on) および 1.8V ロジック レベルにより、スペースを節約しながら、電源管理アプリケーションに高速スイッチングと高効率を提供します。
| カテゴリ | ディスクリート半導体製品>トランジスタ>FET、MOSFET |
| メーカー | インフィニオン テクノロジーズ |
| シリーズ | HEXFET® |
| 包装 | テープ＆リール (TR) カットテープ (CT) デジリール® |
| 部品のステータス | 廃止 |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 12V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 11.5A(Tc) |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.8V、4.5V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 14ミリオーム @ 11.5A、4.5V |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 900mV @ 250μA |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 38nC @ 4.5V |
| Vgs (最大) | ±8V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3529 pF @ 10 V |
| 消費電力(最大) | 2.5W(Ta) |
| 動作温度 | -55℃～150℃(TJ) |
| 取付タイプ | 表面実装 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SO |
| パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154インチ、3.90mm幅) |
| 基本製品番号 | IRF7420 |
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