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商品の詳細:
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| 関数: | ステップアップ、ステップダウン | 出力構成: | 正または否定 |
|---|---|---|---|
| トポロジー: | バック、ブースト | 出力タイプ: | 調整可能 |
| 出力数: | 1 | ||
| ハイライト: | 25V NexFET MOSFET、AEC-Q101対応,4.7mΩ MOSFET、40Aパルス,超低Qg Qgd MOSFET |
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| 属性 | 価値 |
|---|---|
| 機能 | ステップアップ,ステップダウン |
| 出力構成 | ポジティブ か ネガティブ |
| トポロジー | バック,ブースト |
| 出力型 | 調節可能 |
| 出力数 | 1 |
CSD17522Q5A 25V/4.7mΩ 40A パルス 1.5V マックス VGS (th) AEC-Q101 合格 SON 5x6mm パッケージ ハロゲンフリーと超低 Qg & Qgd
ノートブック 負荷点
ネットワーク,テレコム,コンピューティングシステムにおけるポイント・オブ・ロード同期バック
NexFETTM パワー MOSFETは,電力変換アプリケーションにおける損失を最小限に抑えるように設計され,5Vゲートドライブアプリケーションに最適化されています.
| カテゴリー | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
| Mfr | テキサス・インストラクション |
| シリーズ | NexFETTM |
| パッケージ | テープ&リール (TR) カットテープ (CT) ディジリール® |
| 部品のステータス | アクティブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 87A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 4.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 695 pF @ 15 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 3W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| グレード | - |
| 資格 | - |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-VSONP (5x6) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 基本製品番号 | CSD17522 |
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強いブランド:
マイクロチップ,MAX,AD,TI,ATMEL,ST,ON,NS,インターシル,ウィンボンド,ヴィシェイ,ISSI,インフィニオン,NEC,フェアチャイルド,オムロン,YAGEO,TDKなど
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