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IRFR024NTRPBF 55V 24A NチャネルMOSFET 超低 0.028Ω RDS (オン),高速スイッチング速度 100% 雪崩テスト コンパクトDPAKパッケージ 鉛のないand RoHS対応

中国 TOP Electronic Industry Co., Ltd. 認証
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商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: Infineon
証明: CE, GCF, ROHS
モデル番号: IRFR024NTRPBF
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
価格: negotiable
パッケージの詳細: 元のトレイに包装され,その後,紙箱,最後に外包のためのバブル袋
受渡し時間: 支払いの受信後3~5営業日
支払条件: T/T ウェスタンユニオン
供給の能力: 月1000個
詳細製品概要
関数: 昇降圧 出力設定: 肯定または否定
トポロジー: バック,ブースト 出力型: 調整可能
出力数: 1
ハイライト:

24A NチャネルMOSFET

,

DPAK パッケージ Nチャネル MOSFET

,

IRFR024NTRPBF NチャネルMOSFET

IRFR024NTRPBF 55V 24A NチャネルMOSFET 超低 0.028andOmega; RDS (オン),高速スイッチングスピード 100% 雪崩テスト コンパクトDPAKパッケージ 鉛のないおよびRoHS対応

そして

申請

ブラシング モーター駆動アプリケーション

BLDC モーター駆動アプリケーション

バッテリー駆動回路

ハーフブリッジとフルブリッジトポロジー

シンクロン直流器の適用

レゾナントモードの電源

オリエント・スイッチと冗長式電源スイッチ

DC/DCおよびAC/DC変換機

DC/ACインバーター

そして

利益

改善されたゲート,雪崩,ダイナミック dV/dt

頑丈性 完全に特徴付けられた容量と雪崩SOA

強化されたボディダイオード dV/dt と dI/dt 能力

鉛のない

RoHS に 準拠 し,ハロゲン 無

そして

特徴

電気特性
NチャネルMOSFET,強化モード

排水源電圧 (Vandlt;subandgt;DSSandlt;/subandgt): 55V

連続流出電流 (陸上流出電流/下流電流):
34A (@25anddeg;C)
23A (@100anddeg;C)
抵抗 (Randlt;subandgt;DS)) オン (andlt;/subandgt)
0.0242 (典型的には,Vandlt;subandgt;GSandlt;/subandgt;=10V) 0
0.0282 (max,Vandlt;subandgt;GSandlt;/subandgt;=10V)

ゲートスリージングル電圧 (Vandlt;subandgt;Gs(th)andlt;/subandgt): 2V ~ 4V

最大ゲート・ソース電圧 (Vandlt;subandgt;Gsandlt;/subandgt;): +mn;20V
切り替え 特徴
入力容量 (Candlt;subandgt;issandlt;/subandgt;): 1100pF (典型的な)

出力容量 (Candlt;subandgt;ossandlt;/subandgt;): 300pF (典型的な)

逆移電容量 (Candlt;subandgt;rssandlt;/subandgt;): 80pF (典型)

オン/オフ遅延時間 (tandlt;subandgt;d(on) andlt;/subandgt;/tandlt;subandgt;d(off) andlt;/subandgt): ナノ秒レベル,高周波スイッチに適しています

熱性能
最大電力の分散 (Pandlt;subandgt;Dandlt;/subandgt;): 48W ((@25anddeg;C)

熱抵抗 (Randlt;subandgt;andtheta;JAandlt;/subandgt): 62anddeg;C/W (ヒートシンクなし)

動作温度範囲: -55°C ~ +175°C
パッケージと機械特性
パッケージタイプ:TO-252 (DPAK) 表面固定

RoHS 準拠,鉛のない設計

低寄生性誘導性,PCBレイアウトに最適化

そして

情報

カテゴリー
Mfr
シリーズ
パッケージ
テープとロール (TR)
切断テープ (CT)
ディジ・リーランド・レグ
部品のステータス
アクティブ
FETタイプ
テクノロジー
流出電圧から源電圧 (Vdss)
55V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25anddeg;C
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン)
10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs
75mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id
4V @ 250andマイクロA
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (最大)
+mn;20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
370 pF @ 25 V
FET 特徴
-
電力消耗 (最大)
45W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グラード
-
資格
-
マウントタイプ
表面マウント
供給者のデバイスパッケージ
TO-252AA (DPAK)
パッケージ/ケース
基本製品番号

そして

図面

IRFR024NTRPBF 55V 24A NチャネルMOSFET 超低 0.028Ω RDS (オン),高速スイッチング速度 100% 雪崩テスト コンパクトDPAKパッケージ 鉛のないand RoHS対応 0

利点は

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部品の種類をすべて満たすようにしてください.やってみろ


製品リスト
電子コンポーネントのシリーズ,半導体,アクティブおよびパシブコンポーネントの完全な範囲を供給します. 我々は,PCBのすべてのボームを入手するのにあなたを助けることができます.


提案は以下の通りです
統合回路,メモリIC,ダイオード,トランジスタ,コンダッシター,レジスタ,バリストール,フィューズ,トリマーとポテンチオメーター,トランスフォーマー,バッテリー,ケーブル,リレー,スイッチ,コネクタ,ターミナルブロッククリスタルアンプ; オシレーター,インダクター,センサー,トランスフォーマー,IGBTドライバー,LED,LCD,コンバーター,PCB (プリント回路板),PCBA (PCBアセンブリ)

強いブランド:
マイクロチップ,MAX,AD,TI,ATMEL,ST,ON,NS,インターシル,ウィンボンド,ヴィシェイ,ISSI,インフィニオン,NEC,フェアチャイルド,オムロン,YAGEO,TDKなど

連絡先の詳細
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コンタクトパーソン: Mrs. Natasha

電話番号: 86-13723770752

ファックス: 86-755-82815220

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