上は中国の専門の電子部品のディストリビューターです。
私達はPCB Bomのための通信モジュール、アンテナ、PCB、PCBAおよび全部品からのワンストップ解決サービスを、提供します。
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商品の詳細:
お支払配送条件:
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| 機能: | ステップアップ,ステップダウン | 出力構成: | ポジティブ か ネガティブ |
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| トポロジー: | 木びき台、倍力 | 出力型: | 調節可能 |
| 出力数: | 1 | ||
| ハイライト: | PチャンネルMOSFET 74A電流,トー-220AB MOSFET 雪崩評価,55V PチャネルMOSFET低Rds (オン) |
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IRF4905PBF
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特徴
高度なプロセス技術
超低オン抵抗
動的dv/dt定格
175anddeg;C動作温度
高速スイッチング
Pチャネル
完全アバランシェ定格
鉛フリー
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説明
International Rectifierの第5世代HEXFETは、高度な処理技術を利用して、シリコン面積あたりの非常に低いオン抵抗を実現しています。この利点は、HEXFETパワーMOSFETがよく知られている高速スイッチング速度と堅牢なデバイス設計と組み合わされ、設計者に非常に効率的で信頼性の高いデバイスを、幅広い用途で使用できるように提供します。
TO-220パッケージは、約50ワットまでの電力消費レベルのすべての商工業用途に普遍的に好まれています。TO 220の低い熱抵抗と低いパッケージコストは、業界全体での幅広い受け入れに貢献しています。
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情報
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カテゴリ
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メーカー
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シリーズ
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パッケージング
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チューブandnbsp;
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部品ステータス
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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ドレイン-ソース間電圧（Vdss）
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55 V
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電流 - 連続ドレイン（Id）@ 25anddeg;C
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駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
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10V
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Rdsオン（最大）@ Id、Vgs
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20mOhm @ 38A、10V
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Vgs（th）（最大）@ Id
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4V @ 250andmicro;A
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ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
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180 nC @ 10 V
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Vgs（最大）
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andplusmn;20V
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入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
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3400 pF @ 25 V
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FET機能
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-
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消費電力（最大）
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200W（Tc）
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動作温度
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-55anddeg;C ~ 175anddeg;C（TJ）
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グレード
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認定
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実装タイプ
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スルーホール
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サプライヤデバイスパッケージ
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TO-220AB
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パッケージ/ケース
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基本製品番号
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図面
当社の利点：
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あらゆる種類のコンポーネントに対するお客様のニーズを満たすことを確認してください。^_^
製品リスト
一連の電子部品、半導体、アクティブおよびパッシブコンポーネントをフルレンジで提供しています。PCBのBOMをすべて入手できます。つまり、ここでワンストップソリューションを得ることができます。
オファーには以下が含まれます。
集積回路、メモリIC、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ、抵抗器、バリスタ、ヒューズ、トリマーおよびポテンショメータ、トランス、バッテリー、ケーブル、リレー、スイッチ、コネクタ、端子台、水晶および発振器、インダクタ、センサー、トランス、IGBTドライバ、LED、LCD、コンバータ、PCB（プリント基板）、PCBA（PCBアセンブリ）
強力なブランド：
Microchip、MAX、AD、TI、ATMEL、ST、ON、NS、Intersil、Winbond、Vishay、ISSI、Infineon、NEC、FAIRCHILD、OMRON、YAGEO、TDKなど
コンタクトパーソン: Mrs. Natasha
電話番号: 86-13723770752
ファックス: 86-755-82815220
